Busca por novos materiais nanoestruturados tem impulsionado pesquisas na melhoria das propriedades eletrônicas dos semicondutores. Os tungstatos metálicos são destacados por suas características eletrônicas específicas e amplo potencial em aplicações ópticas, luminescentes, catalíticas e de conversão de energia.No presente projeto foram realizadas sínteses de CuWO4 a partir de Tungstênio (W) e Cobre (Cu) metálicos, como precursores iniciais. Estas fontes de W e Cu possuem menores valores que os reagentes tradicionais, tais como o Tungstato de Sódio ou Ácido Túngstico. Uma metodologia adequada foi realizada para abertura das amostras sólidas de W e Cu para posterior reação tipo sol-gel. A partir da suspensão obtida, filmes de CuWO4 foram depositados sobre substrato condutor de vidro-FTO. As caracteristicas fotoeletroquímica dos eletrodos revelaram que foram formados semicondutores do tipo-n, com fotocorrentes de cerca de 15 µA cm-2. A metodologia planejada visa otimizar a síntese do CuWO4, visando a redução de custos e a viabilidade econômica na produção desse material semicondutor.
Comissão Organizadora
RAUIRYS ALENCAR DE OLIVEIRA
Tales Antão de Alencar de Alencar Carvalho
Gustavo Oliveira de Meira Gusmão
IVONEIDE PEREIRA DE ALENCAR
Antonio Gutemberg de Castro Ribeiro Neto
Samaira Cristina Souza Chagas
RAMALHO JOSÉ FERREIRA LEITE
Adriano Silva
ANA CAROLINA PINHEIRO DA SILVA
JAINE MARIA SILVA PARENTES
Florisa Rocha
Amanda Martins Veloso de Sousa
PEDRO PIO FONTINELES FILHO
Leidaiane do Nascimento Pereira
Mario de Sousa Oliveira
Andréa Conceição Gomes Lima
Marcos Assuero da Silva Cruz
Comissão Científica