Os dicalcogenetos de metais de transição (TMDs) são uma das classes mais exploradas de materiais bidimensionais. As rotas experimentais para a síntese e construção de dispositivos com esses materiais estão bem estabelecidas, possibilitando diversas aplicações futuras. Materiais com fases topológicas apresentam a possibilidade de transporte eletrônico com longos comprimentos de coerência, devido à proteção de seus estados de superfície pela simetria de reversão temporal. Esses sistemas permitem o desenvolvimento de eletrônicos de baixo consumo de energia e novas funcionalidades de dispositivos. Nossa pesquisa demonstra que defeitos energeticamente favoráveis em TMDs, introduzem estados topológicos em seu gap semicondutor. A transição de uma fase trivial para uma não-trivial ocorre em uma concentração crítica de defeitos e se mostra robusta mesmo na presença de desordem.